首片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆诞生

2018-05-10 08:53:10|来源:文汇报|编辑:彭丽 |责编:刘征宇

  原标题:首片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆在沪诞生 将为电力电子芯片产品的升级提供核心保证

图片默认标题_fororder_14

记者昨天从临港科技城获悉,第一片国产6英寸碳化硅(SiC) MOSFET晶圆日前在该园区企业上海瞻芯电子科技有限公司诞生。

  单晶碳化硅是一种新颖的半导体材料,具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性,成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。由于它制成的MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)器件,开关速度数倍于传统硅基产品,因此用它开发出的电动车电控系统重量可减轻约三分之二,体积可缩小80%。

  近年来,随着6英寸碳化硅晶圆在国际上的大规模投产,绿色节能的碳化硅半导体产业链正在逐步形成中。“它能为电力电子芯片产品的升级提供核心保证。”瞻芯电子的相关负责人介绍,这种芯片将推进混合和纯电动汽车、太阳能光伏、风力发电、高铁及轨道交通、智能电网、智能家电以及航空航天等产业发生革命性的改变。

  该公司去年7月在上海临港科技城正式注册成立,在不到一年时间里,完成了芯片设计,并成功地在一条成熟量产的6英寸工艺生产线上,完成了碳化硅(SiC) MOSFET的制造流程。晶圆级测试结果表明,各项电学参数达到预期。

  目前,国内相关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等都已经在旗舰产品系列中广泛使用了碳化硅MOSFET。国际上,欧洲的350千瓦超级充电站已经采用了此类模块产品;新一代新能源车里的双向车载充电器以及高性能电驱动单元,也成为此类器件应用的绝佳场所。

分享到: